PQMD12Z

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PQMD12Z datasheet

• Маркировка
  PQMD12Z
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PQMD12Z RoHS: yes Transistor Polarity: NPN/PNP Collector- Base Voltage VCBO: 50 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 50 V Maximum DC Collector Current: 100 mA Gain Bandwidth Product fT: 230 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: DFN1010B-6 Brand: NXP Semiconductors Continuous Collector Current: 100 mA DC Collector/Base Gain hfe Min: 80 Maximum Power Dissipation: 230 mW Minimum Operating Temperature: - 55 C Factory Pack Quantity: 5000
• Количество страниц
  13 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PQMD12Z.pdf
Файл формата Pdf 195,88 KB